本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示：电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。三极管的
如何判断反馈电路的类型反馈电路类型很多，可根据不同的标准分类：①根据反馈的极性分：有正反馈和负反馈。②根据反馈信号和输出信号的关系分：有电压反馈和电流反馈。③根据反馈信号和输入信号的关系分：有串联反馈和并联反馈。④根据反馈信号是交流或直流分：有交流反馈和直流反馈。电路的反馈类型虽然很多，但对于一个具体的反馈电路，它会同时具有以上四种类型。下面就通过图2-13中所示的两个反馈电路来介绍反馈类型的判别。图2-13两个反馈电路1.正反馈和负反馈的判别(1)晶体管各极电压的变化关系为了快速判断出反馈电路的反馈类型，有必要了解晶体管各极电压的变化关系。不管是NPN型还是PNP型晶体管，它们各极电压变化都
如果只看一个芯片的外观，是无法区分TTL和CMOS的。因为它们是按照芯片的制作工艺来分类的。CMOS内部集成的是MOS管，而TTL内部集成的是三极管。工作原理P型半导体（空穴）P型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了三价硼，此时硼原子最外层缺少了一个电子，我们用空穴代替这个缺少的电子。空穴吸引电子，对外显正电。我们称之为P型半导体。P取自Positive的首字母，正的、积极的。需要注意的是，P型半导体里面并不全是空穴，它里面也有自由电子的存在，但没有N型半导体里面那么多。N型半导体（电子）N型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了五价磷，此时磷原子多了一个自由电子，自由电子带负电，我们称之为N型半导体。N取
如果只看一个芯片的外观，是无法区分TTL和CMOS的。因为它们是按照芯片的制作工艺来分类的。CMOS内部集成的是MOS管，而TTL内部集成的是三极管。工作原理P型半导体（空穴）P型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了三价硼，此时硼原子最外层缺少了一个电子，我们用空穴代替这个缺少的电子。空穴吸引电子，对外显正电。我们称之为P型半导体。P取自Positive的首字母，正的、积极的。需要注意的是，P型半导体里面并不全是空穴，它里面也有自由电子的存在，但没有N型半导体里面那么多。N型半导体（电子）N型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了五价磷，此时磷原子多了一个自由电子，自由电子带负电，我们称之为N型半导体。N取
单纯的推挽电路:会产生交越失真会产生交越失真，原因：信号在0V附近即±0.6V的区间范围内两个管子均未导通。如下图所示稍加改进的推挽电路:会产生交越失真上下分别加入了电阻看下仿真结果，还是产生了交越失真。我们来分下下：虽然貌似引入了直流偏执，但还是产生了交越失真，看下图,需要明白这一点：静态，A点的直流电压始终是和B点的直流电压相等为7.5V。(T1T2都截止，降低静态功耗)测量B点的电压，也确实为7.5V。那该怎么理解呢？静态时两个三极管到底处于什么状态？肯定不是两个管子都导通，因为这正是我们想看到的，因为这样三极管就不会出现交越失真了。下面我分别假设静态时三极管的不同导通状态来进行分析、反
三极管能提供三种不同组态的放大模式，即共射极、共集电极和共基极。共发射极模式下，信号源从基极输入，从集电极输出；共集电极模式下，信号源从基极输入，从发射极输出；共基极模式下，信号源从发射极输入，集电极输出。在计算放大器的输入输出阻抗前，先介绍三极管常用的小信号等效模型。小信号等效模型混合π模型 图中为交流输入电阻，为交流输出电阻，为基极寄生电容，为输出电流源，为跨导，即集电极电流变化量与发射结电压变化量的比值，等于，等于与上的电流之和：式中为三极管I/V特性曲线在横轴上的截距，由工艺决定，一般在几十伏特，当三极管工作在放大区时，其交流输出阻抗等于曲线斜率的倒数，通过影响上的电流改
在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成：分别是上P下N，以及上N下P。其原理图如下所示，1.推挽电路两种方式推挽电路在实际中，我们使用的推挽电路一般都是上N下P型。但是我一直有个疑问：“为什么不使用上P下N型？“因为在使用三极管时，一般N管的发射极是接地，P管的发射极是接电源。以上两种类型，明显上P下N型是符合习惯的。对于这个疑问，从来也没有人正面地回答我。甚至很多人都不屑去回答这个问题，但是这个问题确实是电子设计初学者几乎都会考虑的问题。所以今天就来捋一捋这两种电路结构的区别。上N下P-推挽电路先从上N下P型说起，其原理图如下：上N下P型原理
浅谈三极管、运放、MOS管驱动的常见电路前言一、三极管的应用电路二、运算放大器的应用电路三、MOS管驱动电路总结前言随着对电路应用能力的要求越来越高，模拟电路中的三极管和运放显得越来越重要，很多人都开启了模拟电路的学习，本文就介绍了三极管和运放中常见电路及应用的基础内容。一、三极管的应用电路三极管有三个工作状态：截止、放大、饱和，放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放……其实，对信号的放大我们通常用运放处理，三极管更多的是当做一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态。截止状态看作是关，饱和状态看作是开。Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为
三极管与MOS管MOS管等效模型：电压控制（输入端G是电容）；负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三级管等效模型：电流控制（输入端G是电阻）；负载端是二极管，大电流时损耗大。输入端-控制输出端-功耗MOS管电压控制（输入端G是电容）负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三极管电流控制（输入端G是电阻）Ic-b=βxIb负载端是二极管，大电流时损耗大。PMOSNMOS辅助记忆:放P，气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS，G靠近S端控制方式PMOS负极性控制-负电压or0电压导通NMOS正极性控制-正电压导通PMOS和NMOS的应用电路PMOS的G道济记住S-D之间二极管的正向对正电压打开条
三极管与MOS管MOS管等效模型：电压控制（输入端G是电容）；负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三级管等效模型：电流控制（输入端G是电阻）；负载端是二极管，大电流时损耗大。输入端-控制输出端-功耗MOS管电压控制（输入端G是电容）负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三极管电流控制（输入端G是电阻）Ic-b=βxIb负载端是二极管，大电流时损耗大。PMOSNMOS辅助记忆:放P，气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS，G靠近S端控制方式PMOS负极性控制-负电压or0电压导通NMOS正极性控制-正电压导通PMOS和NMOS的应用电路PMOS的G道济记住S-D之间二极管的正向对正电压打开条
