在前面讲NMOSLDO的时候，我们注意到NMOS由于它的源极和门级之间的导通门限，使简单构成的NMOSLDO它输入和输出之间的压差不可能很小，必须大于这个导通门限，如果我们引入一个单个的偏置电压对某些应用又是一个负担。因此我们可以引用另外一种方式，也就是PMOS构成的LDO老克服这些麻烦。由于PMOS它的输入端是接在它的源极上(如下图)，而门级是需要低于源极才能是它导通，所以这个就是PMOS的LDO在驱动上天生的要比NMOS的LDO简单。4.1PMOSLDO稳压器中的功率损失的简单模型 由上图可以看到它的损耗和NMOS的LDO是非常类似的，由于在主功率部分采用的是P型MOS管，也是用电压来控制
双PMOS管实现两路电源切换（电路非常经典、完美）仿真测试记录双电源切换系统及切换方法/CN109474060B已经申请专利（申请日2018.12.19）、申请公布日2019.03.15、授权公告日2021.6.29，具体如下，Q1、Q2接不同的电源，这个电路非常经典、完美，对称，性价比非常高。假设VCC1=12V，VCC2＞VCC1，NVTFS5124PLTAG导通阈值电压为VGS(TH)为-1.5V~-2.5V。则VCC2-VF＞VCC1+|VGS(TH)|，VF =0.7V才能导通：VCC1=12V，VCC2=0V时，电流探针PR6出现了-197nA的微弱倒灌电流至电阻R1。VCC1=0
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件PMOS，SOT-23-3封装引脚导通条件NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V
最近偶然看到PMOS防反接电路，感觉挺实用的，做个记录。软件：LTspice二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。反并二极管+保险丝使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。PMOS防反接电路基本电路基本的PMOS防反接电路，利用PMOS
最近偶然看到PMOS防反接电路，感觉挺实用的，做个记录。软件：LTspice二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。反并二极管+保险丝使用反并二极管+保险丝，正常运行时基本没有损耗。在电源反接时，电源侧接近短路，保险丝熔断，从而实现保护。反接发生后，二极管和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。PMOS防反接电路基本电路基本的PMOS防反接电路，利用PMOS
最近一个项目对TYPE-C识别有特殊设计，需要在USB插入时和拔出时对两路CC上拉电源做延时1s上电或关断。如果不做延时，有可能导致USB识别失败。通过测试用以下两个电路可以满足要求。 图1的延时时间通过C250,C251,R90来调整，VBUS断开后利用C250,C251储存的电压，来给Q2的栅极提供高电平，使Q2暂时无法导通。随着C250,C251的电压逐渐降低，Q2的VGS满足Q2导通，VCC4V0_D有电压。D6用于防止C250上的电压通过其他电路泄掉。图2的延时时间通过C252,C253，R83来调整。VBUS接通时，由于电容C252,C253两端的电平无法突变，所以上电瞬间Q11的
CMOS电路基础知识，包括NMOS、PMOS，以及由它们构成的非门、与非、或非等门电路，和版图绘制（L-edit16.3）1，CMOS门电路1）PMOS和NMOS电路结构2）`MOS管结构的工作原理`，如NMOS管结构2，非门电路结构，即反相器3，与非门和或非门、与门和或门4，传输门+数据选择器。1，CMOS门电路1）PMOS和NMOS电路结构2）MOS管结构的工作原理，如NMOS管结构在P型半导体衬底（图中用B标示）上，制作两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G，通常用金属铝或多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔开&
谨以此文纪念我那记不住NMOS和PMOS的脑子（bushi本期目录1NMOS1.1常见连接方式1.2重要参数1.2.1V~GS~（GS开启电压）1.2.2R~DS(on)~(DS导通电阻)1.2.3C~iss~/C~oss~(输入/输出端电容)1.3注意事项!!!2PMOS2.1常见连接方式2.2重要参数1NMOS1.1常见连接方式当Vin为高电平时，NMOS导通，灯亮；当Vin为低电平时，NMOS关断，灯灭。1.2重要参数1.2.1VGS（GS开启电压）即当Vin大于VGS时，NMOS才会导通，需根据系统电压情况选择合适的VGS。1.2.2RDS(on)(DS导通电阻)即NMOS导通时，D与
目录基础概念NMOS工作原理vDS对iD的影响耗尽型与增强型N沟道MOSFET比较基础概念P型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的三价元素，如：硼、铟、镓、铝等；N型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的五价元素，如：磷、锑、砷等。NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路
三极管与MOS管MOS管等效模型：电压控制（输入端G是电容）；负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三级管等效模型：电流控制（输入端G是电阻）；负载端是二极管，大电流时损耗大。输入端-控制输出端-功耗MOS管电压控制（输入端G是电容）负载端D-S是小电阻，大电流时损耗小。三极管电流控制（输入端G是电阻）Ic-b=βxIb负载端是二极管，大电流时损耗大。PMOSNMOS辅助记忆:放P，气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS，G靠近S端控制方式PMOS负极性控制-负电压or0电压导通NMOS正极性控制-正电压导通PMOS和NMOS的应用电路PMOS的G道济记住S-D之间二极管的正向对正电压打开条
