电平转换针对的是两个或者两个以上的CPU之间的通讯需要进行的一种转换技术，两个CPU如果供电电压不一样，比如一个是1.2V，另一个是3.3V，那么在电平不匹配的情况下工作，会造成信号传输出错；如果二者电压相差较大，严重的可能会损坏芯片。今天给大家介绍如何用一颗三极管实现的电平转换。方案一如图其中IN为低压系统，OUT为高压系统，以3.3V和5V举例，当IN端为3.3V高电平时，Q2三极管Ube电压差小于0.7V，Ub当IN端为0V低电平时，Q2三极管Ube电压差大于0.7V，Ub>Uc，Q2三极管导通，OUT端电压等于IN端，也为0V；由此实现3.3V至5V的电平转换。当然，我们也可以将三极管
一、问题来源在观看清华大学华成英老师模拟电子技术基础课中，三极管的饱和区是一笔带过，对应的课本教材也没有做充分的解释说明，对于初学者在概念和三极管微观上的理解不是很友好。二、问题点1、三极管的饱和区，饱和指的是什么？三、问题分析首先说下结论：教材上和老师说的，饱和区状态发射结正偏，集电极正偏。饱和过程问题导致很多人理解不了。饱和状态到底是什么饱和？怎么样是饱和的？饱和的微观过程是什么？我们以NPN型共射极放大电路为例说明这个状态 在谈论三极管饱和的时候，不能离开负载电阻。以上图为例，，随着增大，减小，当已经很难继续增大，就说这个状态为饱和状态。当然，如果继续增大，会使再减小，例如降到0.3V（
电子技术——MOS管的小信号模型在上一节，我们已经学习过了MOS管的基本线性放大原理，本节我们继续深入MOS管的小信号放大，建立MOS管的小信号模型。我们本节继续使用上节的电路，如下图所示：DC偏置点根据上节的知识，我们知道漏极DC电流为：ID=12knVOV2I_D=\frac{1}{2}k_nV_{OV}^2ID=21knVOV2在这里我们忽略MOS管的沟道长度调制效应（λ=0\lambda=0λ=0）。输出DC电压为VDS=VDD−RDIDV_{DS}=V_{DD}-R_DI_DVDS=VDD−RDID。为了保证MOS管工作在饱和区，必须使得VDS>VOVV_{DS}>V
文章目录前言一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线2.输出特性曲线二、三极管稳压电路及原理解析1.三极管串联稳压电路2.稳压原理解析总结参考前言这段时间在工作中接触到了基于三极管、稳压二极管实现降压稳压的电路。在熟悉电路和阅读文章的时候，发现不少文章对于三极管线性稳压电路的原理介绍得不太详细、不太正确的问题。本文首先介绍了三极管的输入/输出特性曲线，并在此基础之上利用Multisim搭建了三极管稳压电路，最后对所搭建的稳压电路进行了原理解析。一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线当三极管共射极连接，集电极与发射极之间的电压UCEU_{CE}UCE维持在不同的电压时，反映UBEU_
电子技术——MOS管的CV特性MOS管是一种压控晶体管，本节我们学习MOS管的CV特性，即电压-电流特性。MOS管的特性曲线有两种，分别是伏安特性和传导特性。iD−vDSi_D-v_{DS}iD−vDS特性曲线为了测量MOS管的iD−vDSi_D-v_{DS}iD−vDS曲线，我们使用下面的电路：由上图可知，我们固定栅极电压vGSv_{GS}vGS然后调节源极-漏极电压vDSv_{DS}vDS来观察漏极电流iDi_DiD的变化。通过这样的方法，我们就可以绘制出MOS管的CV特性曲线如下图：图中显示了三个区域，分别是截止区域饱和区域三极管区。其中截止区域和三极管区作用于开关电路。换
直流电机简介直流电机，即通上直流电，就可以旋转的电动机。由于电机的线圈绕组会频繁的换向，换向碳刷或铜片与线圈接触处会有火花，这种电机工作起来会有较大的电磁干扰，对电源来说，也会带来尖峰毛刺。三极管驱动电路有人会说了，为啥不用MOS管或IC驱动？这篇文章是讲三极管的，当然就用三极管了嘛。电机参数：12V0.1A三极管选型背景知识这里有2个背景知识，知识1：直流电机工作的时候，尖峰脉冲会有3-5倍电源电压的的尖峰脉冲，如果电源内阻比较大，那么这个电压就会更大程度的影响电源的供电。当然我们会有一些办法来削减这个尖峰，但三极管的耐压绝对不能仅仅是略大于12V，而是要2到3倍于这个值才会比较可靠。知识2
自记录：看完本章，串起来看，看mos驱动电路这篇：MOS管驱动电流计算以及分立器件驱动电路-CSDN博客使用单片机做一个PLC,输出可如下两种情况：单片机I/O口驱动，为什么一般都选用三极管而不是MOS管？1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管?需要了解三极管和MOS管的区别，如下：①三极管是电流控制型，三极管基极驱动电压只要高于Ube(一般是0.7V)就能导通。②MOS管是电压控制型，驱动电压必须高Vgs(TH)才能正常导通，不同MOS管的阈值电压是
MOS管选型参数：VGS(th)VGS（th）：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS（th）时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低MOS管一般都存在VGS(th)这一参数，不同厂家的MOS管，该参数也不尽相同。它一般是一个范围。为什么是一个范围呢？那是因为厂家生产的一批器件该参数不可能完全一致，存在一定的离散性。下面就来看几种不同MOS管的VGS(th)：1、KS1206DB:1~2.5V2、KSB203DA:3~4.5V3、RM135N100HD:2.5~4.5V4
说在开头：关于海森堡和泡利（3）索末菲每周都要和学生们谈话，跟每个学生都保持了密切联系，他推荐泡利和海森堡去哥廷根大学找玻恩学习，玻恩很赏识这两个年轻人。玻恩也有一个研讨班，搞了一班优秀的学生在深造，研讨班的气氛相当自由开放：愚蠢的问题不仅被允许，而且很受欢迎。大家无拘无束，热热闹闹的。下课后，海森堡站起来一回头看见希尔伯特大师就坐在教室后面，原来他跑到这个班上听课来了。他在物理学方面的功底也深不可测，当年就听了爱因斯坦关于广义相对论的报告，就抢在爱因斯坦之前把广义相对论方程式给推了出来，因为广义相对论基于黎曼几何，这对于他来说简直就是小菜一碟，希尔伯特当年说了一句意味深长的话：哥廷根的每个人
D9741是一块脉宽调制方三用于也收路像机和笔记本电的等设备上的直流转换器。在便携式的仪器设备上。主要特点：●高精度基准电路 ●定时闩锁、短路保护电路 ●低电压输入时误操作保护电路 ●输出基准电压(2.5V) ●超过工作范围能进行自动校正 ●封装形式:SOP16应用：●电视摄像机 ●笔记本电脑
