MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。现在以N沟道器件为例来介绍一下MOS管的工作原理。MOS管的基本工作原理是利用栅源电压去控制漏极电流，但漏极和源极之间不存在原始导电沟道，所以工作时还需要先建立。当VGS达到VT时，该区域聚集的自由电子浓度足够大，而形成一个新的N型区域，像一座桥梁把漏极和源极连接起来。该区域

1.MOS管可以达到1秒钟上万次开关，原理是1秒钟给栅极高频次的高低电平控制内部沟道的增加或减少，从而控制电流通过或截止,如图：2.内部没有沟道，会随着栅极的电压增加会逐渐形成沟道,此为增强型MOS管3.若内部本身存在沟道，随栅极电压的升高而减小，此为耗尽型MOS管4.NPN称为NMOS，PNP称为PMOS5.MOS管的分类：6.PN结（耗尽层）7.PN结反偏（负电荷进入同性相斥推动N区负电子进入空穴，再被正极吸引形成回路，此时电路导通）8.PN结正偏（电子增多，耗尽层增大，负电荷无法穿过，所以此时电路断开）此即为二极管单向导通原理9.对于增强型MOS管来说，N+有很多电子，和P型半导体周围形