我正在寻找用于VLSI设计的寄存器自动化解决方案。即，在一些文本文件或XML中描述RTL寄存器的一些标准方法，可以处理成Verilog、VHDL、Specman、SystemVerilog、C头文件和HTML/PDF文档。有什么建议吗？我找到了IP-XACT，这是一个IEEE标准(http://standards.ieee.org/getieee/1685/download/1685-2009.pdf)甚至发现Cadence通过Specman和SV脚本支持它。IP-XACT常用吗？有什么意见吗？对于流程中其他必需的工具有什么建议吗？(轻松编辑XML文件、Verilog、C和文档生成)当
VLSI半定制设计方法与全定制设计方法【VLSI】VLSI半定制设计方法1.standardcell设计方法StandardCelllibrary设计方法与步骤特点2.门阵列(gatearray)设计方法gatearray特点与FPGA的区别PLA3.门海设计方法(sea-of-gatesstyles)全定制：无约束设计方法（Full-customdesign/TheUnconstrainedDesignApproach）特点Reference 全定制设计是一种通过指定每个晶体管的布局以及它们之间的互连来设计集成电路的方法。 标准单元（standardcell设计方法）、门阵列（gatea
CMOS中的latch-up闩锁效应、添加tap解决latch-up、使用combainedarea绘制TAPTAP的作用IC后端版图【VLSI】一、latch-up、Tap1.CMOS基础认知：N-Well和P-Substrate在CMOS里的位置2.latch-upissueLatch-up三种解决方案Prevention3.添加tapcells解决latch-up问题3.TAP的基础概念n-welltap&p-substratetap的工艺规则排列的个数二、画版图layout时的TAP1.Magicn-welltapp-substratetapcombainedarea分层画法的解释：c
CMOSPROCESSFLOW简化版总结CMOS制造工艺流程IC后端版图【VLSI】FabricationFacility前言CMOSPROCESSFLOW（CMOS制造工艺流程【全】）ReferenceFabricationFacility前言FabricationFacility：主要包括这些工序：Fabricationsiliconwafer，也就是从砂中提纯单晶硅造wafer，现在主流wafer大小是200mm和300mm。Waferprocessing，就是在wafer上制作芯片。建议可以先看这个视频了解一些形象化的概念：Howaremicrochipsmade?Fabricatio
从IC版图Layout的视角看待VLSI从设计到流片、FAB制造【VLSI】一、什么是IC版图？1.IC版图基础概念2.工程师使用EDA、CAD工具完成IC版图的布局布线3.经过设计和验证后输出GDSII4.流片tape-out5.Photolithography光刻Mask、Photomask和Photolithography光刻技术的关系二、一名IC版图工程师的视角看待版图设计与芯片生产的关联1.版图设计和FAB工艺制作的区别2.对比绘制Layout和真实的制造工艺步骤什么是Activearea？什么是P-selet、N-selet？为什么N-selectorP-selectmask比Ac
晶体管的栅极gate材料选用多晶硅polysilicon，并采用自对准工艺self-alignedIC后端版图【VLSI】基础：MOS管通过栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流晶体管的栅极材料选用多晶硅，并采用自对准工艺栅极的材料为什么选用多晶硅（polysilicon）？历史：早期的非对准工艺造成的问题解决方法：多晶硅（polysilicon）用作栅极（gate）、自对准工艺的解释解释一下什么是晶体管里栅极的自对准工艺。Explainthetermsself-alignedasitappliestothegateofthistransistor.Whymakethegatefirstbef
晶体管的栅极gate材料选用多晶硅polysilicon，并采用自对准工艺self-alignedIC后端版图【VLSI】基础：MOS管通过栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流晶体管的栅极材料选用多晶硅，并采用自对准工艺栅极的材料为什么选用多晶硅（polysilicon）？历史：早期的非对准工艺造成的问题解决方法：多晶硅（polysilicon）用作栅极（gate）、自对准工艺的解释解释一下什么是晶体管里栅极的自对准工艺。Explainthetermsself-alignedasitappliestothegateofthistransistor.Whymakethegatefirstbef
