前面讲过的三极管和MOS管电平转换电路都是单向的，就是信号只能是从A输出到B输入。其实单个MOS管也能实现双向电平转换，即信号即能从A输出到B输入，也能从B输出到A输入。实际电路就是这个，包含一个MOS管和两个电阻，芯片1信号高电平为VCCA，芯片2信号高电平为VCCB。下面讲解下原理：当A点为输出，B点为输入时，信号从A到B1，当芯片1引脚在A点输出高电平VCCA时，MOS管的Vgs=0，MOS管截止，B点电压由电阻RB上拉到VCCB，相当于在芯片2引脚输入了高电平VCCB，；2，当芯片1引脚在A点输出低电平0时，MOS管的Vgs=VCCA，如果VCCA大于MOS管的开启电压,则MOS管导通
文章目录一、MOS管MOS管搭建反相器MOS管搭建传输门MOS管搭建与非门二、与非门R-S锁存器三、电平触发器电平触发RS锁存器带异步复位，异步置位的电平触发RS锁存器电平触发D触发器四、边沿触发器一、MOS管NMOS管的结构示意图和表示符号如图所示，在P型衬底上制作两个掺杂N型区，形成MOS管的源极S和漏极D，中间电极称为栅极G，栅极和衬底之间通过SiO2绝缘层隔开。下图为NMOS输出特性曲线，采用共源极接法，漏极特性曲线可分为三个工作区，截止区，可变电阻区，饱和区当Vgs截止区，此时源极和漏极之间近似没有导电沟道；当Vgs>Vgs(th)时，曲线以上可分为两部分，虚线以左为可变电阻区，当V
一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。其中：输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。二、理解米勒效应米勒效应是指MOS管g、d的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。可以看成是一个电容的负反馈。在驱动前，Crss上是高电压，当驱
三极管驱动LED电路用NPN、PNP三极管搭建LED控制电路，并说明控制信号高低电平对应的LED亮和灭？T1是NPN型三极管，R2是LED限流电阻，R1是基极电阻，J1是控制信号，原理如下：J1高电平，三极管导通，LED亮；J1低电平，三极管截止，LED灭；T2是PNP型三极管，R3是LED限流电阻，R4是基极电阻，J2是控制信号，原理如下：J2高电平，三极管截止，LED灭；J2低电平，三极管导通，LED亮；NPN驱动电路中电流计算：三极管饱和导通时，Vce=0V，所以Rc=(5V-2V)/10mA=300Ω。查询芯片手册，三极管MMBT3904的的放大倍数β（hfe）如下图所示：可以看到，在
MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。现在以N沟道器件为例来介绍一下MOS管的工作原理。MOS管的基本工作原理是利用栅源电压去控制漏极电流，但漏极和源极之间不存在原始导电沟道，所以工作时还需要先建立。当VGS达到VT时，该区域聚集的自由电子浓度足够大，而形成一个新的N型区域，像一座桥梁把漏极和源极连接起来。该区域
首先我们选取的是2N6659场效应管，下面我们看下它的电器参数由上图可以得知DS之间最大电压值为35V，GS导通电压值为1.6V，GS关断电压值为0.8V。下面我们打开Multisim软件，导入元器件并连线。此时GS供电电压值正好是0.8V，用万用表测得的电压值为负值，DS电流为1.548uA，LED1熄灭状态。此时GS供电电压值是3V，用万用表测得的电压值为616pV，DS电流为1.179uA，LED1熄灭状态。此时GS供电电压值是4V，用万用表测得的电压值为132uV，DS电流为1.011uA，LED1点亮状态。由此可见这个2N6659还是比较适合51单片机来使用的，因为51的IO口是5V
说在开头：关于德布罗意的电子波（1）德布罗意家族的历史悠久，他的祖先中出了许许多多将军、元帅、部长，参加过法国几乎所有的战争和各种革命，后来受到路易.腓力的册封，继承了这最高世袭身份的头衔：公爵。路易斯.德布罗意的哥哥：莫里斯.德布罗意便是第六代德布罗意公爵；当1960年莫里斯去世以后，路易斯终于从他哥哥那里继承了这个光荣称号：第七代德布罗意公爵。路易斯.德布罗意从小对历史很感兴趣，他的哥哥莫里斯.德布罗意是一位著名的放射线物理学家，并在1911年参加了第一届索尔维会议，他将会议记录带回了家；小路易斯看到了这些激动人心的科学进展和最新思潮，完全被物理学给吸引了，于是他立志成为物理学家。德布罗意
原创：转载需附链接：https://blog.csdn.net/qq_37100442/article/details/132057139?spm=1001.2014.3001.5502 一、背景 Mos分评价音质重要指标，最近也有很多机构和公司在研究适合自己的评价体系。目前Mos分主要分为主观评测和客观感知评价。其中客观感知评价由于方便和节省人力，被大众研究。本文章以标准polqa的mos分为可信前提，验证visqol、pesq、mosnet与polqa的一致性，以及visqol的可信度验证；主要用于编解码、降噪、回声消除等算法的感知效果进行打分，从而促进算法的迭代和可信
这里写目录标题前言一：MOS管和场效应管二、MOS管分类三、MOS管原理3.1MOS管的组成3.2MOS管命名由来3.3MOS管图标由来3.4MOS管原理简析3.5MOS管输出特性曲线3.6MOS管转移特性曲线附录1：为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？四、MOS管特点五、MOS管参数5.1MOS管的导通条件附录2：EMI器件原理及应用5.2MOS管的寄生电容5.3米勒电容附录3：详细理解米勒电容和米勒效应附录4：为什么常在MOS管GS并联电阻？附录5：为什么要在MOS管G级串联电阻？六、MOS管的封装七、MOS管判别(管脚、NP/好坏)八、MOS管应用（待整理）前言总之文章基本就是个人
看到一篇文章，作者在做一款大电压、大电流供电的产品，测试发现启动时的冲击电流很大，最大达到了14.2A，见下图示波器通道2的蓝色波形：▲ 通道4的绿色波形是采样电阻的电压当时作者没有经验，不知道如何去解决。后来同事指点说，解决这个问题需要增加缓启动电路，也叫软启动电路。同事继续解释道：这个电路的供电是由一个PMOS控制通断的，软启动的设计是让PMOS的导通时间变缓，电路上的做法是在PMOS的栅极和源极之间接一个合适的电容，PMOS的导通时间就会变缓了。作者听了同学的解答之后，在PMOS的栅极和源极之间接了一个电容，发现开机冲击电流降下来了。试了几个不同容值的电容，对应的效果不一样。最后作者选了
