RTX4090，已经在热搜上挂了两天！昨天，美国对华禁售H800和A800等尖端AI芯片的消息曝出。根据新规，性能达到一定水平的GPU都需要额外的许可证。而在英伟达向美国证券交易委员会（SEC）提交的官方文件中，赫然出现了一个大家都没想到的产品——RTX4090。根据中信证券的计算，如果按照「性能密度」来看，4090的确属于被管制的范畴。消息一出，各路店铺的4090直接被买爆。不过，美国商务部当天发布的官方文件里，其实还包含这样一句话——作为这些更新的一部分，我们还将引入一项豁免，允许出口用于消费者应用的芯片。于是，「4090被禁事件」的热度还没过，今天开始网上又开始流传「大反转」的消息。美国

日前媒体纷纷传言清华研发成功EUV光刻机，这个其实夸大了事实，不过却也确实是EUV光刻机的重大突破，将绕开ASML等西方垄断的EUV光刻技术路线，开辟一条全新的道路。据了解清华研发成功的并非是EUV光刻机，而是可用于EUV光刻机的光源，这被称为SSMB（稳态微聚束加速器光源），据了解清华大学负责该项技术研发的唐传祥教授也明确指出“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源”。EUV光刻机是研发5纳米乃至更先进工艺的必需设备，目前台积电、Intel、三星量产的5纳米、3纳米工艺都需要EUV光刻机，7纳米工艺固然也可用DUV光刻机但是却导致性能不够7纳米EUV工艺强，而且良率偏低、成本

随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录——推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒，使用的是比前者1α工艺更先进的1β工艺，这也是美光最后的非EUV工艺了，再往后不想上EUV也没招了。美光没有透露32Gb核心内存颗粒的具体速度，但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1TB的内存条，只需要32个8-Hi堆栈即可，现在的24Gb核心还做不到这么大容量。当然，美光实际上并不会推出这么大的

近日国内光刻机产业链的企业之一，传芯半导体公开宣布已经20余项EUV光刻机技术专利，加上此前在激光光源、工作台、镜头等方面所取得的成果，国产EUV光刻机已取得了重大进展，或许数年后国产EUV光刻机就将量产，这正让ASML后悔莫及。光刻机之所以难，在于它是集诸多行业的精华于一身，需要诸多产业链企业共同配合才能量产，一台光刻机就有上万个元件，可以说只是光刻机本身就是一条相当大的产业链。此前清华大学机械工程系朱煜教授带队的清华大学研发团队就已研发出光刻机双工作台，由此中国成为全球第二个可以生产双工作台的国家；此外激光头、镜头等厂商也陆续生产出先进的组件，各个产业链企业的努力正逐渐完善国内的光刻机产业

如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。后面怎么办？作为内存一哥，三星也早就在准备新的技术了，那就是3DDRAM，类似闪存从2D到3D的转变一样，通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。在这个新技术上，垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发，其中三星

如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。后面怎么办？作为内存一哥，三星也早就在准备新的技术了，那就是3DDRAM，类似闪存从2D到3D的转变一样，通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。在这个新技术上，垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发，其中三星