文章目录系列目录与传送门一、什么是RAM？什么是ROM？二、块RAM和分布式RAM2.1、BRAM2.2、DRAM2.3、使用建议三、详解分布式RAM四、实现方式4.1、推断4.2、原语4.3、IP4.4、仿真五、应用系列目录与传送门 《从底层结构开始学习FPGA》目录与传送门一、什么是RAM？什么是ROM？ RAM是RandomAccessMemory的首字母缩写。它是一种主存储器，用于存储当前正在使用的信息。信息可以是正在处理的数据或程序代码。它是一种读写存储器，这意味着它几乎可以同时存储（写入）和访问（读取）数据。但RAM是易失性或临时性存储器，即当电源被移除
近日，笔者写到了存储芯片产业正在经历的寒冬。其中，DRAM产品历经全球性的市场价格雪崩，“雪崩”之下，利润下泻、库存堆积，成为横在DRAM巨头面前的一项难题。为避免DRAM芯片再大幅跌价，诸如SK海力士、美光等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13-18%，但仍不见下行周期的终点。然而，在市场因素之外，从工艺制程的演进和技术角度来看，DRAM产业似乎也正面临瓶颈及一系列技术挑战。DRAM缩放速度放缓对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管就越多，也就代表一片芯片能实现更高的内存容量。从DRAM三巨头工艺尺寸的发展历程来看，三星、SK
近日，笔者写到了存储芯片产业正在经历的寒冬。其中，DRAM产品历经全球性的市场价格雪崩，“雪崩”之下，利润下泻、库存堆积，成为横在DRAM巨头面前的一项难题。为避免DRAM芯片再大幅跌价，诸如SK海力士、美光等多家供应商已开始积极减产，预估2023年第一季DRAM价格跌幅可因此收敛至13-18%，但仍不见下行周期的终点。然而，在市场因素之外，从工艺制程的演进和技术角度来看，DRAM产业似乎也正面临瓶颈及一系列技术挑战。DRAM缩放速度放缓对DRAM芯片来说，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管就越多，也就代表一片芯片能实现更高的内存容量。从DRAM三巨头工艺尺寸的发展历程来看，三星、SK
如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。后面怎么办？作为内存一哥，三星也早就在准备新的技术了，那就是3DDRAM，类似闪存从2D到3D的转变一样，通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。在这个新技术上，垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发，其中三星
如今的内存市场上，不仅面临着价格下滑的压力，同时技术发展也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说，核心原因还是传统的2DDRAM内存技术快到极限了，就跟CPU逻辑工艺情况类似。后面怎么办？作为内存一哥，三星也早就在准备新的技术了，那就是3DDRAM，类似闪存从2D到3D的转变一样，通过3D堆栈来进一步提高内存的存储密度。在这个新技术上，垄断了全球75%内存产能的三星、SK海力士及美光三家公司都在积极研发，其中三星
