之前在验证FPGA板卡的芯片管脚时，所用的测试工程使用内部PLL生成的时钟作为DDR3的参考时钟。后来尝试将参考时钟改为外部100M晶振时钟，发现MIGIP配置工具找不到相应管脚，于是学习并梳理了 XilinxDDR3MIGIP时钟管脚的分配规则，在这里做个记录。 目录1MIG时钟输入2时钟管脚分配规则1MIG时钟输入 《ug586_7Series_MIS_v4.2》手册给出了XilinxDDR3MIG控制器IP内部时钟网络，如下图所示。可以看到MIGIP有2个时钟输入，分别是CLKREF 和SYSCK. REFCLK频率为200MHz，输入到MIGIP内部的MMCM，然后选择20
首先我们选取的是2N6659场效应管，下面我们看下它的电器参数由上图可以得知DS之间最大电压值为35V，GS导通电压值为1.6V，GS关断电压值为0.8V。下面我们打开Multisim软件，导入元器件并连线。此时GS供电电压值正好是0.8V，用万用表测得的电压值为负值，DS电流为1.548uA，LED1熄灭状态。此时GS供电电压值是3V，用万用表测得的电压值为616pV，DS电流为1.179uA，LED1熄灭状态。此时GS供电电压值是4V，用万用表测得的电压值为132uV，DS电流为1.011uA，LED1点亮状态。由此可见这个2N6659还是比较适合51单片机来使用的，因为51的IO口是5V
说在开头：关于德布罗意的电子波（1）德布罗意家族的历史悠久，他的祖先中出了许许多多将军、元帅、部长，参加过法国几乎所有的战争和各种革命，后来受到路易.腓力的册封，继承了这最高世袭身份的头衔：公爵。路易斯.德布罗意的哥哥：莫里斯.德布罗意便是第六代德布罗意公爵；当1960年莫里斯去世以后，路易斯终于从他哥哥那里继承了这个光荣称号：第七代德布罗意公爵。路易斯.德布罗意从小对历史很感兴趣，他的哥哥莫里斯.德布罗意是一位著名的放射线物理学家，并在1911年参加了第一届索尔维会议，他将会议记录带回了家；小路易斯看到了这些激动人心的科学进展和最新思潮，完全被物理学给吸引了，于是他立志成为物理学家。德布罗意
身份服务提供商Okta上周五（9月1日）警告称，有威胁行为者针对该公司进行了一次社会工程攻击获得了管理员权限。该公司表示：最近几周，多家美国Okta客户报告了多个针对IT服务人员的社会工程攻击。这些威胁行为者会打电话给服务台人员，然后要求重置高权限用户注册的所有多因素身份验证（MFA）因子，从而开始滥用Okta超级管理员帐户的最高权限来冒充受感染组织内的用户。该公司表示，这些活动发生在2023年7月29日至8月19日之间。虽然Okta没有透露威胁参与者的身份，但其使用的攻击战术符合名为“MuddledLibra”的活动集群的所有特征，据说它与“ScatteredSpider”和“Scatter
监管沙盒是使用监管科技对金融科技进行监管的一种典型的方式，也是当前监管科技与金融科技应用的趋势所在。金融科技发展较好的国家几乎都在布局监管沙盒相关战略，或是已经开始付诸行动。一、监管沙盒机制 沙盒是来计算机安全领域的一种安全机制，指计算机为可能具有破坏性的应用程序提供隔离的运行环境。沙盒严格控制程序的cpu占用、内外存调用与文件读写权限，且沙盒中的任何改动都不会对计算机的操作系统造成损失，这种技术一般用于测试无法预期风险的应用程序。 金融领域中的监管沙盒机制与计算机安全领域的原理相同，是金融监管机构为可能存在风险隐患的金融产品设置的安全运行环境，在这个限定了时间和空
this可能重复但答案不被接受。我有两种情况我们正在构建CRM，我们将有多个客户使用相同的产品。让我们举个例子，subdomain1.maindomain1.com和anysubmain.anothermaindomain.com应该指向同一个webapp文件夹。根据域，我们将动态选择数据库，但代码库将保持不变。此处要注意:整个代码库保持不变。我们正在为客户构建一系列网站，其中部分代码库将对所有网站保持不变，但根据子域，我们将加载默认的servlet文件。让我们举个例子，manage.domain.comcrm.domain.comequote.domain.com应该指向相同的web
Kubernetes官网；kubesphere官网 不论是Kubernetes官网还是找的其它部署步骤，基本都是推荐搭建集群的方式，是为了实现高可用.....等等，这样一来至少需要两台或三台的服务器来搭建，这样对我们的成本也是非常大的，所以我就尝试了用一台机器来部署，下面是具体的流程； 一、Kubernetes搭建 1、环境准备Centos7操作系统（2核+5G内存+50G空间）因为还要安装kubesphere管理工具，所以内存和空间尽量要大一点2、安装方式k8s的常用安装方式有两种（本文是通过kubeadm的方式）：方式优势缺点kubeadm简单、快速无法更好的理解k8s各个
这里写目录标题前言一：MOS管和场效应管二、MOS管分类三、MOS管原理3.1MOS管的组成3.2MOS管命名由来3.3MOS管图标由来3.4MOS管原理简析3.5MOS管输出特性曲线3.6MOS管转移特性曲线附录1：为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？四、MOS管特点五、MOS管参数5.1MOS管的导通条件附录2：EMI器件原理及应用5.2MOS管的寄生电容5.3米勒电容附录3：详细理解米勒电容和米勒效应附录4：为什么常在MOS管GS并联电阻？附录5：为什么要在MOS管G级串联电阻？六、MOS管的封装七、MOS管判别(管脚、NP/好坏)八、MOS管应用（待整理）前言总之文章基本就是个人
看到一篇文章，作者在做一款大电压、大电流供电的产品，测试发现启动时的冲击电流很大，最大达到了14.2A，见下图示波器通道2的蓝色波形：▲ 通道4的绿色波形是采样电阻的电压当时作者没有经验，不知道如何去解决。后来同事指点说，解决这个问题需要增加缓启动电路，也叫软启动电路。同事继续解释道：这个电路的供电是由一个PMOS控制通断的，软启动的设计是让PMOS的导通时间变缓，电路上的做法是在PMOS的栅极和源极之间接一个合适的电容，PMOS的导通时间就会变缓了。作者听了同学的解答之后，在PMOS的栅极和源极之间接了一个电容，发现开机冲击电流降下来了。试了几个不同容值的电容，对应的效果不一样。最后作者选了
01直接驱动首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCBLAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。当然另一个问题我们得考虑，那就是PWMCONTROLLER的驱动能力，当MOSFET较大时，IC驱动能力较小时，会出现驱动过慢，开关损耗过大甚至不能驱动的问题，这点我们在设计时需要注意。02IC内部驱动能力不足时当然，对于IC内部驱动能力不足的问题我们也可以采用下面的方法来解决。这种增加驱动能力的
