电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，是常用电路之一。本文要讲解的电源开关电路，是用MOS管实现的，且带缓开启功能，非常经典。一、电路说明电源开关电路，尤其是MOS管电源开关电路，经常用在各“功能模块”电路的电源通断控制，如下框图所示。▲ 框图中“1个MOS管符号”代表“1个完整的MOS管电源开关电路”在设计时，只要增加一个电容（C1），一个电阻（R2），就可以实现软开启（softstart）功能。▲ 电容C1、电阻R2实现软开启（softstart）功能软开启，是指电源缓慢开启，以限制电源启动时的浪涌电流。在没有做软开启时，电源电压的上升会比较陡峭。▲ 没有做软开启时，电源
运放+MOS管构成的恒流电路分析先看下下面的电路，想知道这个电路的原理，可以参考:link这里使用的运放是LM358mos管是2N6755(Nmos)想让其能够输出1A的恒流（当然恒流限定了所带负载范围，下面说）设计恒定电流为：I=V2/R3=2.5/2.5=1AR2为负载，运放供电电源为15V先来看下这个电路的带负载能力，见下图：可以看出，要想让其恒定输出1A电流，负载则不能大于20Ω，即R2不能大于20Ω，因为受到电源V3（24V）的限制。想让带负载能力增强，增大电源V3也是一种办法。正常工作时，电源V3的电压，一部分落在负载R2上，一部分落在电阻R3上，剩下的全都落在MOS管的上这里为了
目录实验步骤实验1：看输出特性：实验2：看转移特性：同时看实验问题20221231最近需要学习Ltspice，所以记录下学习过程。建议先简单学习下Ltspice基本操作前人写的已经很棒了给电路初学者的LTspice操作入门教程StepbyStep-知乎(zhihu.com)实验步骤新建一个文件，点击Component新建一个nmos4再次点击component，选择两个Voltage，作为栅极与漏极电压源。放置地，并如图连线。快捷键空格键，电路图一键居中；快捷键F5，可删除各类符号。跑步小人是Run。鼠标右键点击电压源名字V1V2，改名VGS、VDS点击Run，设置DCSweep。实验1：看输
经常看到有文章说MOS管的导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。 首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。 下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。 下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。 可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。 MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。 M
注：如下内容学习于“电路啊”公众号！一、电路介绍使用MOS管实现的防电源反接电路，在电源正确接入时，电源正常对负载供电。在电源正负极反接时，断开负载电路，从而保护负载。下面讲解使用“P型”MOS管的防电源反接电路。二、电路分析（以Vin=5V为例）1、电源正确接入时电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。体二极管的压降约为5V-4.3V=0.7V。实际上MOS管的g极是有电阻R1的，MOS管的g极通过电阻R1接到电源负极的GND。在MOS管导通前，Vin的电压依然通过M
浅谈三极管、运放、MOS管驱动的常见电路前言一、三极管的应用电路二、运算放大器的应用电路三、MOS管驱动电路总结前言随着对电路应用能力的要求越来越高，模拟电路中的三极管和运放显得越来越重要，很多人都开启了模拟电路的学习，本文就介绍了三极管和运放中常见电路及应用的基础内容。一、三极管的应用电路三极管有三个工作状态：截止、放大、饱和，放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放……其实，对信号的放大我们通常用运放处理，三极管更多的是当做一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态。截止状态看作是关，饱和状态看作是开。Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为
MOSFET管并联工作时，需要考虑两个问题：1）满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。2）通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。静态电流分配不均衡是由于并联器件的Rds不相等引起的。Rds较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于MOSFET管的Rds具有正的温度系数，所以MOSFET管不会发生二次击穿。如果MOSFET管内部的一小部分区域吸收了更多的电流，则局部发热会比较厉害，内阻增加，就把部分点六转移到相邻区域，以平衡电流密度。这个
关于buck/boost升降压电路的知识，学习整理如下。BUCK/BOOST升降压电路构成的三兄弟元器件：1.电感，2.二极管，3.mos管。电路用到：1、基尔霍夫定律：一个回路上的电压之和等于02、法拉第电磁感应定律：这是最核2心的电感起作用的定律，感应电动势计算公式：E＝nΔΦ/Δt（普适公式）｛E：感应电动势(V)，n：感应线圈匝数，ΔΦ/Δt:磁通量的变化率｝自感电动势计算公式：E自＝nΔΦ/Δt＝LΔI/Δt｛L:自感系数(H)(线圈L有铁芯比无铁芯时要大)，ΔI:变化电流，∆t:所用时间，ΔI/Δt:自感电流变化率(变化的快慢)｝从而得出：U=Ldi/dt==>Udt=Ldi3、能
MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：有人可能会这样计算：开通电流Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA关断电流Ioff=Qg/Toff=Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。于是乎得出这样的结论，驱动电流只需300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t，
任务管理简介基本概念1、从系统的角度看，任务是竞争系统资源的最小运行单元。任务可以使用或等待CPU、使用内存空间等系统资源，并独立于其它任务运行。2、LiteOS的任务模块可以给用户提供多个任务，实现了任务之间的切换和通信，帮助用户管理业务程序流程。这样用户可以将更多的精力投入到业务功能的实现中。3、LiteOS中的任务是抢占式调度机制，高优先级的任务可打断低优先级任务，低优先级任务必须在高优先级任务阻塞或结束后才能得到调度，同时支持时间片轮转调度方式。4、LiteOS的任务默认有32个优先级(0-31)，最高优先级为0，最低优先级为31。5.但cmsis_os2的优先级刚好相反,0为最低优先
